Проект Экстремальная ультрафиолетовая (ЭУФ) литография представляет собой наиболее передовую технологию печати (производства) чипов с технологическими нормами порядка нескольких нанометров. ЭУФ литография основана на использовании коротковолнового излучения (длина волны ~ 10 нм) горячей и плотной плазмы с высокозаряднями ионами.
Студентам предлагается проект, в котором они поучаствуют в построении простой феноменологической модели работы такого плазменного источника излучения. Модель должна отобразить взаимосвязь между всеми протекающими процессами в плазменном источнике излучения.
Область знаний: Вычислительные физика и математика
Формат работы: Очно
Формат работы: Дистанционно
Статус ментора: Научный сотрудник
Организация: ИСАН
Минимальный курс: 1
Профили ментора в научных сетях
Видео-презентация менторского проекта (весна 2025)
Профили ментора в научных сетях
Профиль дает возможность узнать больше о научных интересах ментора и его публикациях.